[9p-N206-1~15] 6.3 Oxide electronics

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N206-9] The study of VO₂ phase diagram under the effective of hydrogen gas pressure

〇Satoshi Hamasuna¹, Takeaki Yajima¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:

oxide,proton transport,vanadium dioxide

VO₂はプロトン(H⁺)を可逆ドープが可能で、電気抵抗を5桁変化させる特性からデバイス応用が期待されている．しかし，基本的な熱力学的変数である，水素分圧に対しての相図は作製されていない．本研究では、水素触媒作用を持つPtをゲートとした三端子デバイスを作製し、水素分圧制御下でVO₂へのH⁺ドープを行った。その結果，導入されたH⁺によりVO₂は絶縁化する様子が確認され，水素分圧上昇に依存することが明らかとなった。