講演情報
[9p-N206-9]水素ガス圧に対するVO2相変化の研究
〇浜砂 智1、矢嶋 赳彬1 (1.九大)
キーワード：
酸化物、プロトン輸送、二酸化バナジウム
VO₂はプロトン(H⁺)を可逆ドープが可能で、電気抵抗を5桁変化させる特性からデバイス応用が期待されている．しかし，基本的な熱力学的変数である，水素分圧に対しての相図は作製されていない．本研究では、水素触媒作用を持つPtをゲートとした三端子デバイスを作製し、水素分圧制御下でVO₂へのH⁺ドープを行った。その結果，導入されたH⁺によりVO₂は絶縁化する様子が確認され，水素分圧上昇に依存することが明らかとなった。