[9p-N321-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N321-11] Growth of high-quality lattice-matched AlBN ferroelectric films on SiC substrate by RF reactive sputtering

〇Ken Shiraishi¹, Kyota Mikami¹, Tsunenobu Kimoto¹, Mitsuaki Kaneko¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

Nitride ferroelectric,SiC,Non-volatile memory

高温動作不揮発性メモリとして注目されている窒化物強誘電体AlBNは、SiCと格子整合するため、SiC上への成長により高品質化が期待できる。実際、SiC上にAlBNを反応性RFスパッタリングにより成長し、XRD ωスキャンにより結晶性を評価したところ、Pt上に成長したAlBNよりも良い結晶性を示し、これまで報告されたスパッタAlBN膜の中で最小値となるωスキャンFWHMを達成した。