[9p-N321-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[9p-N321-11] 反応性RFスパッタリングによるSiC基板上への格子整合AlBN強誘電体高品質膜の成長

〇白石 健¹、三上 杏太¹、木本 恒暢¹、金子 光顕¹ (1.京大院工)

キーワード：

窒化物強誘電体、SiC、不揮発性メモリ

高温動作不揮発性メモリとして注目されている窒化物強誘電体AlBNは、SiCと格子整合するため、SiC上への成長により高品質化が期待できる。実際、SiC上にAlBNを反応性RFスパッタリングにより成長し、XRD ωスキャンにより結晶性を評価したところ、Pt上に成長したAlBNよりも良い結晶性を示し、これまで報告されたスパッタAlBN膜の中で最小値となるωスキャンFWHMを達成した。