Presentation Information
[9p-N321-14]Mechanisims of epitaxially grown c-BScN layers prepared by magnetron sputtering
〇Ryota Maeda1, Yoshitaka Taniyasu1, Kazuhide Kumakura1, Kakeru Ninomiya2, Maiko Nishibori2, Kazuyuki Hirama1 (1.NTT BRL, 2.Tohoku University)
Keywords:
boron nitride,sputtering,scandium
本研究では、ダイヤモンド基板上にc-BScN薄膜をスパッタリング法でエピタキシャル成長し、成長温度・バイアス電圧・Scターゲット出力による構造形成メカニズムを系統的に解明した。特に、Sc供給量が多いほどsp²相生成が増え、その抑制にはバイアス電圧制御が有効であることを実証した。また、高温での相分離抑制のための最適条件を明らかにし、c-BN系混晶薄膜成長に役立つ実用的な成長相図を初めて提示した。