講演情報
[9p-N321-14]c-BScNエピタキシャル薄膜のスパッタリング成長機構
〇前田 亮太1、谷保 芳孝1、熊倉 一英1、二宮 翔2、西堀 麻衣子2、平間 一行1 (1.NTT物性研、2.東北大学)
キーワード：
窒化ホウ素、スパッタリング、スカンジウム
本研究では、ダイヤモンド基板上にc-BScN薄膜をスパッタリング法でエピタキシャル成長し、成長温度・バイアス電圧・Scターゲット出力による構造形成メカニズムを系統的に解明した。特に、Sc供給量が多いほどsp²相生成が増え、その抑制にはバイアス電圧制御が有効であることを実証した。また、高温での相分離抑制のための最適条件を明らかにし、c-BN系混晶薄膜成長に役立つ実用的な成長相図を初めて提示した。