[9p-N321-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N321-3] Planarization and reduction of dislocation density of GaN crystals after facet growth in the Na-flux method

〇Shogo Washida¹, Masayuki Imanishi¹, Ryoutaro Sasaki¹, Kosuke Murakami¹, Shigeyoshi Usami¹, Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura^1,2, Yusuke Mori¹ (1.The Univ. of Osaka, 2.ILE, the Univ. of Osaka)

Keywords:

GaN,Na-flux method,dislocation

Naフラックス法において、メルトバックを利用したファセット成長による窒化ガリウム結晶の低転位化手法を提案した。従来ではメルトバックにより種結晶から分離した微結晶による多結晶が発生し、結晶の平坦化が困難であった。本研究ではメルトバック工程を分離し、新たなフラックスを用いて結晶成長することで多結晶の抑制及び結晶の平坦化を試みた。工程を分離することで、多結晶は発生せず結晶全面で平坦化に成功した。転位密度は10⁶ cm^-2から7.3×10⁴ cm^-2まで低減しており、低転位密度化及び結晶の平坦化の両立が可能であることがわかった。