[9p-N321-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[9p-N321-3] Naフラックス法におけるファセット成長後のGaN結晶平坦化及び低転位密度化

〇鷲田 将吾¹、今西 正幸¹、佐々木 稜太郎¹、村上 航介¹、宇佐美 茂佳¹、丸山 美帆子¹、吉村 政志^1,2、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：

窒化ガリウム、ナトリウムフラックス法、転位

Naフラックス法において、メルトバックを利用したファセット成長による窒化ガリウム結晶の低転位化手法を提案した。従来ではメルトバックにより種結晶から分離した微結晶による多結晶が発生し、結晶の平坦化が困難であった。本研究ではメルトバック工程を分離し、新たなフラックスを用いて結晶成長することで多結晶の抑制及び結晶の平坦化を試みた。工程を分離することで、多結晶は発生せず結晶全面で平坦化に成功した。転位密度は10⁶ cm^-2から7.3×10⁴ cm^-2まで低減しており、低転位密度化及び結晶の平坦化の両立が可能であることがわかった。