Presentation Information
[9p-N321-7]Fabrication and evaluation of low-resistance n-type GaN thin film with Si-GaN target
〇Mirei Tokiwa1, Koo Bando1, Hidehiko Misaki1, Yoshihiro Ueoka1, Masami Mesuda1 (1.Tosoh Corp.)
Keywords:
gallium nitride,sputtering,resistivity
スパッタリング法を用いたGaN成膜は、MOCVD法に比べ大量のアンモニアや除害設備が不要なため、低コスト・低毒性プロセスとして期待される。当社は独自の焼結技術で高密度・低酸素GaNターゲットを開発し、サファイア基板上でMOCVD法と同等のX線ロッキングカーブ半値幅を持つGaN成膜を報告した。本講演では、Si添加GaNターゲットを用いたGaドロップレットを析出しない低抵抗n-GaN薄膜を紹介する。