講演情報
[9p-N321-7]Si 含有GaN ターゲットを用いた低抵抗n 型GaN 薄膜の作製と評価
〇常盤 美怜1、板東 廣朗1、三崎 日出彦1、上岡 義弘1、召田 雅実1 (1.東ソー（株）)
キーワード：
窒化ガリウム、スパッタリング、抵抗率
スパッタリング法を用いたGaN成膜は、MOCVD法に比べ大量のアンモニアや除害設備が不要なため、低コスト・低毒性プロセスとして期待される。当社は独自の焼結技術で高密度・低酸素GaNターゲットを開発し、サファイア基板上でMOCVD法と同等のX線ロッキングカーブ半値幅を持つGaN成膜を報告した。本講演では、Si添加GaNターゲットを用いたGaドロップレットを析出しない低抵抗n-GaN薄膜を紹介する。