[9p-N322-1~20] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N322-12] Luminescence-Induced Threshold Voltage Drift in SiC MOSFETs under Gate AC Stress

〇(M2)Ryosuke Shingo¹, Noriyuki Iwamuro¹, Hiroshi Yano¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

SiC MOSFETs,threshold voltage shift,gate switching stress

SiC MOSFETでは、MOSFETが蓄積状態と反転状態を繰り返すバイポーラゲートACストレス下で恒久的な正のしきい値電圧変動(ΔV_th^drift)が報告されている。この現象の機構を説明するモデルに、バイポーラAC印加時の電子と正孔の再結合に起因する発光が原因と考える光支援ΔV_thモデルがある。本研究では、光支援ΔV_thモデルを検証することを目的に、ゲートAC印加時のΔV_th^driftと発光スペクトルの測定を行うとともに、外部からの光照射による酸化膜への電子注入特性を評価した。