[9p-N322-1~20] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[9p-N322-12] ゲート AC 印加時における SiC MOSFET の発光によるしきい値電圧変動

〇(M2)新郷 諒介¹、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大)

キーワード：

SiC MOSFET、しきい値電圧変動、ゲートACストレス

SiC MOSFETでは、MOSFETが蓄積状態と反転状態を繰り返すバイポーラゲートACストレス下で恒久的な正のしきい値電圧変動(ΔV_th^drift)が報告されている。この現象の機構を説明するモデルに、バイポーラAC印加時の電子と正孔の再結合に起因する発光が原因と考える光支援ΔV_thモデルがある。本研究では、光支援ΔV_thモデルを検証することを目的に、ゲートAC印加時のΔV_th^driftと発光スペクトルの測定を行うとともに、外部からの光照射による酸化膜への電子注入特性を評価した。