[9p-N322-1~20] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N322-13] Investigation of Forward Surge Current Capability for SiC MOSFETs

〇Kazuhiro Suzuki¹, Hiroshi Yano¹, Noriyuki Iwamuro¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

SiC MOSFET,Forward Surge Current Capability

SiC MOSFETはSi IGBTに代わる次世代デバイスとして期待されている。SiC MOSFETはPiNダイオードを内蔵しており、外付けのダイオードが不要であるという利点を持つ。そのため、実用化に向けてはこの内蔵ダイオードの順方向サージ電流（IFSM）耐量向上が重要である。本研究では、IFSM耐量向上に向けた設計検討を行い、基板の薄型化やソースワイヤ本数の増加が有効であることを明らかにした。