講演情報
[9p-N322-13]SiC MOSFET の順方向サージ電流耐量向上に関する検討
〇鈴木 一広1、矢野 裕司1、岩室 憲幸1 (1.筑波大理工)
キーワード：
SiC MOSFET、順方向サージ電流耐量
SiC MOSFETはSi IGBTに代わる次世代デバイスとして期待されている。SiC MOSFETはPiNダイオードを内蔵しており、外付けのダイオードが不要であるという利点を持つ。そのため、実用化に向けてはこの内蔵ダイオードの順方向サージ電流（IFSM）耐量向上が重要である。本研究では、IFSM耐量向上に向けた設計検討を行い、基板の薄型化やソースワイヤ本数の増加が有効であることを明らかにした。