[9p-N322-1~20] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N322-2] Analyses of the current–voltage characteristics in thermal oxide/SiC structures – Discrepancy from Fowler-Nordheim tunneling current

〇Tatsuki Yoshida¹, Kyota Mikami¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

SiC,oxide,tunneling current

信頼性の高いSiC MOSFETの設計指針確立のために、ゲート酸化膜におけるI–V特性の精密なモデリングが必要である。本研究ではSiC熱酸化膜のI–V特性を測定し、FNプロットから半導体/酸化膜界面の障壁高さを求めた。しかしLSモデルによるI–V特性の計算結果は実験結果と整合せず、FNトンネル電流を考慮するだけではSiC熱酸化膜のI–V特性を再現できないことを明らかにした。