講演情報
[9p-N322-2]熱酸化膜/SiCにおける電流―電圧特性の解析 － Fowler-Nordheimトンネル電流からの乖離
〇吉田 達紀1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
キーワード：
シリコンカーバイド、酸化膜、トンネル電流
信頼性の高いSiC MOSFETの設計指針確立のために、ゲート酸化膜におけるI–V特性の精密なモデリングが必要である。本研究ではSiC熱酸化膜のI–V特性を測定し、FNプロットから半導体/酸化膜界面の障壁高さを求めた。しかしLSモデルによるI–V特性の計算結果は実験結果と整合せず、FNトンネル電流を考慮するだけではSiC熱酸化膜のI–V特性を再現できないことを明らかにした。