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[9p-N322-8]Characterization of Ultrathin SiO2/SiC Interfaces Fabricated by Low-temperature NO Oxynitridation
〇(M1)Takuma Katori1,2, Takuji Hosoi1,2 (1.Kwansei Gakuin Univ., 2.NIMS.)
Keywords:
SiC,interface state density
我々は昨年、1100℃のNO雰囲気下で4H-SiC(0001)表面に熱処理を行うことでSiO2膜が形成されると同時に、一般的な1250℃のNO-POAと同量の窒素が界面に導入されることを報告した。本研究では900~1100℃という低温でのSiC表面のNO酸窒化を試み、900℃でも界面に窒素が導入されたSiO2/SiC界面が形成されることを見出した。