講演情報
[9p-N322-8]低温NO酸窒化により形成した極薄SiO2/SiC界面特性評価
〇(M1)香取 拓真1,2、細井 卓治1,2 (1.関学院理工、2.物材機構)
キーワード：
SiC、界面準位密度
我々は昨年、1100℃のNO雰囲気下で4H-SiC(0001)表面に熱処理を行うことでSiO2膜が形成されると同時に、一般的な1250℃のNO-POAと同量の窒素が界面に導入されることを報告した。本研究では900~1100℃という低温でのSiC表面のNO酸窒化を試み、900℃でも界面に窒素が導入されたSiO2/SiC界面が形成されることを見出した。