[9p-N323-1~11] 13.9 Compound solar cells

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N323-6] Epitaxy of ZnSnP₂ on GaAs using Zn₃P₂ as the zinc source

〇Isshin Sumiyoshi¹, Yoshitaro Nose¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

MBE,II-IV-V2

Zn₃P₂をZnの蒸留源に用い 、GaAs(001) 基板上に ZnSnP₂ 単結晶薄膜を作製を行った。Sn/Zn₃P₂ フラックス比に対する構造・電気特性の変化を系統的に評価し、最適条件では移動度 154 cm² V⁻¹ s⁻¹ が得られた。また、界面相の存在により薄膜中に歪が存在することが示唆された。