講演情報
[9p-N323-6]Zn3P2をZn源に用いたZnSnP2/GaAsエピタキシャル成長
〇住吉 壱心1、野瀬 嘉太郎1 (1.京大工)
キーワード：
分子線エピタキシー、II-IV-V2族半導体
Zn₃P₂をZnの蒸留源に用い 、GaAs(001) 基板上に ZnSnP₂ 単結晶薄膜を作製を行った。Sn/Zn₃P₂ フラックス比に対する構造・電気特性の変化を系統的に評価し、最適条件では移動度 154 cm² V⁻¹ s⁻¹ が得られた。また、界面相の存在により薄膜中に歪が存在することが示唆された。