[9p-N324-1~19] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

5:45 PM - 6:00 PM JST(8:45 AM - 9:00 AM UTC)

[9p-N324-17] Evaluation of Plasma-Induced Damage to PE-CVD SiO₂ Films by Polarity-Dependent Leakage Current Measurement

〇(M1)Kei Seki¹, Shunya Kuronuma¹, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

Plasma-Induced Damage,Ion irradiation,I-V Characteristic

半導体微細加工に用いられるプラズマプロセスでは、材料表面に対するプラズマ誘起ダメージ（PID）が問題となっている。PID評価として、MOS構造の電気特性評価が行われてきた。本研究では、異なる極性（n型、p型）の基板上の絶縁膜にPID欠陥を導入した。そしてPID欠陥を有するMOS構造に対して順・逆バイアス印加時の電流–電圧特性を多点測定し、PID欠陥の膜厚・エネルギー方向の分布を評価した。