講演情報
[9p-N324-17]トンネルリーク電流の極性依存性解析によるPE-CVD SiO2のプラズマ誘起ダメージ評価
〇(M1)関 馨1、黒沼 舜也1、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工)
キーワード：
プラズマ誘起ダメージ、イオン照射、電流-電圧特性
半導体微細加工に用いられるプラズマプロセスでは、材料表面に対するプラズマ誘起ダメージ（PID）が問題となっている。PID評価として、MOS構造の電気特性評価が行われてきた。本研究では、異なる極性（n型、p型）の基板上の絶縁膜にPID欠陥を導入した。そしてPID欠陥を有するMOS構造に対して順・逆バイアス印加時の電流–電圧特性を多点測定し、PID欠陥の膜厚・エネルギー方向の分布を評価した。