[9p-N324-1~19] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

6:00 PM - 6:15 PM JST(9:00 AM - 9:15 AM UTC)

[9p-N324-18] Plasma-induced defects ~Aspect-ratio effects in contact hole etch~

〇Shota Nunomura¹, Takuya Kikuchi², Haruka Suzuki², Hirotaka Toyoda² (1.AIST, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:

plasma etching,HARC,damage

先端３D NANDフラッシュメモリの作製において、チャネルホールの加工に最先端のプラズマエッチング技術が投入されている。このエッチングでは、約10um厚の絶縁膜（酸化膜/窒化膜スタック）をφ100nm程度の間口で深堀し、アスペクト比100以上を実現する。エッチング中、ホール底部には高エネルギー粒子（正イオンやその中性化した粒子）とラジカルが到達し、底部の表面付近には被加工材の構造や組成が変化した変質層（反応層、ダメージ層や欠陥層とも呼ばれる）が形成される。この変質層は、エッチレートやマスク材との選択比、下地シリコンへのダメージの点で重要な役割を担うがその詳細は解明されていない。今回、この変質層の形成を欠陥発生の観点から調査したので報告する。