講演情報
[9p-N324-18]プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～コンタクトホールアスペクト比の効果～
〇布村 正太1、菊池 拓哉2、鈴木 陽香2、豊田 浩孝2 (1.産総研、2.名大)
キーワード：
プラズマエッチング、高アスペクト比コンタクト、ダメージ
先端３D NANDフラッシュメモリの作製において、チャネルホールの加工に最先端のプラズマエッチング技術が投入されている。このエッチングでは、約10um厚の絶縁膜（酸化膜/窒化膜スタック）をφ100nm程度の間口で深堀し、アスペクト比100以上を実現する。エッチング中、ホール底部には高エネルギー粒子（正イオンやその中性化した粒子）とラジカルが到達し、底部の表面付近には被加工材の構造や組成が変化した変質層（反応層、ダメージ層や欠陥層とも呼ばれる）が形成される。この変質層は、エッチレートやマスク材との選択比、下地シリコンへのダメージの点で重要な役割を担うがその詳細は解明されていない。今回、この変質層の形成を欠陥発生の観点から調査したので報告する。