[9p-N324-1~19] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N324-5] Identification of charge trapping regions in BN/Si structures

〇Naoki Oguchi¹, Yuya Asamoto¹, Masao Noma², Shigehiko Hasegawa³, Michiru Yamashita⁴, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ., 2.SHINKO SEIKI. Co., LTD., 3.Osaka Univ., 4.Hyogo Pref. Inst. Technol.)

Keywords:

Boron nitride,PECVD,charge trapping

立方晶窒化ホウ素（c-BN）は優れた機械特性を有する．イオン衝撃を用いたc-BN膜作製手法では，基板との間に遷移層が形成される．c-BN膜構造設計においては，遷移層の理解，制御は必須である．本研究では，BN膜中のネットワーク構造上の欠陥を反映すると考えられる電荷の捕獲に着目した．
遷移層を含むBN膜の電気容量–電圧特性を解析した．フラットバンド電圧の膜厚依存性より，BN/Si構造の各界面における電荷捕獲領域の存在を明らかにした．