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[9p-N324-5]Identification of charge trapping regions in BN/Si structures

〇Naoki Oguchi1, Yuya Asamoto1, Masao Noma2, Shigehiko Hasegawa3, Michiru Yamashita4, Keiichiro Urabe1, Koji Eriguchi1 (1.Kyoto Univ., 2.SHINKO SEIKI. Co., LTD., 3.Osaka Univ., 4.Hyogo Pref. Inst. Technol.)

Keywords:

Boron nitride,PECVD,charge trapping

立方晶窒化ホウ素(c-BN)は優れた機械特性を有する.イオン衝撃を用いたc-BN膜作製手法では,基板との間に遷移層が形成される.c-BN膜構造設計においては,遷移層の理解,制御は必須である.本研究では,BN膜中のネットワーク構造上の欠陥を反映すると考えられる電荷の捕獲に着目した.
遷移層を含むBN膜の電気容量–電圧特性を解析した.フラットバンド電圧の膜厚依存性より,BN/Si構造の各界面における電荷捕獲領域の存在を明らかにした.