[9p-N324-1~19] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[9p-N324-5] BN/Si構造における電荷捕獲領域の同定

〇小口 尚輝¹、朝本 雄也¹、野間 正男²、長谷川 繁彦³、山下 満⁴、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工、2.神港精機、3.阪大産研、4.兵庫県立工技センター)

キーワード：

窒化ホウ素、プラズマ成膜、電荷捕獲

立方晶窒化ホウ素（c-BN）は優れた機械特性を有する．イオン衝撃を用いたc-BN膜作製手法では，基板との間に遷移層が形成される．c-BN膜構造設計においては，遷移層の理解，制御は必須である．本研究では，BN膜中のネットワーク構造上の欠陥を反映すると考えられる電荷の捕獲に着目した．
遷移層を含むBN膜の電気容量–電圧特性を解析した．フラットバンド電圧の膜厚依存性より，BN/Si構造の各界面における電荷捕獲領域の存在を明らかにした．