Presentation Information

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[9p-N324-6]Effect on the Internal Stress of GaN thin films deposited by reactive HiPIMS

〇(M1)Koki Karikomi¹, Koo Bando², Mirei Tokiwa², Yoshihiro Ueoka², Misaki Hidehiko², Mesuda Masami², Shimizu Tetsuhide¹ (1.Tokyo Metropolitan Univ., 2.Tosoh Corp.)

Keywords:

HiPIMS,GaN,Internal stress

本研究では，大電力パルスマグネトロンスパッタリング（HiPIMS）法により成膜された窒化ガリウム(GaN)薄膜における内部応力変化に影響を与える要因を検証した． HiPIMS放電中に生成される各イオンの運動エネルギーの測定，異なるピーク電流密度および基板バイアス電圧下におけるGaN薄膜の成膜実験を実施した．それらの結果に基づき，GaN薄膜内における内部応力増大のメカニズムについて議論した．

Back to Session information