講演情報
[9p-N324-6]反応性HiPIMS法によるGaN薄膜形成と内部応力への影響
〇(M1)苅込 香希1、板東 廣朗2、常盤 美怜2、上岡 義弘2、三崎 日出彦2、召田 雅実2、清水 徹英1 (1.都立大院SD、2.東ソー(株))
キーワード：
大電力パルスマグネトロンスパッタリング、窒化ガリウム、内部応力
本研究では，大電力パルスマグネトロンスパッタリング（HiPIMS）法により成膜された窒化ガリウム(GaN)薄膜における内部応力変化に影響を与える要因を検証した． HiPIMS放電中に生成される各イオンの運動エネルギーの測定，異なるピーク電流密度および基板バイアス電圧下におけるGaN薄膜の成膜実験を実施した．それらの結果に基づき，GaN薄膜内における内部応力増大のメカニズムについて議論した．