[9p-N324-1~19] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[9p-N324-9] Quantitative Evaluation of Momentum Transfer by Heavy Mass Ion bombardment using HiPIMS Synchronized Pulsed Substrate Bias

〇(M1)Rina Watabe¹, Fuka Nishimura¹, Erdong Chen¹, Tetsuhide Shimizu¹ (1.Tokyo Metropolitan Univ.)

Keywords:

high-power impulse magnetron sputtering,synchronized pulsed substrate bias,momentum transfer

HiPIMS法を用いた重元素W イオン衝撃による運動量変換の遷移金属酸化物薄膜の低温結晶成長への有効性の検証を研究目的とした．薄膜の結晶性と堆積粒子当たりの総運動量変換量(P_tot/a)の関係を定量評価するため，W薄膜成長による検証実験を行い，基板バイアス電圧U_s=−300 Vの条件下でP_tot/a = 500 amu·eV^-1/2を達成するには，ピーク電流密度4 A/cm²が要求されることを明らかにした．