Presentation Information
[9p-P07-2]Effect of stress on thermal equilibrium concentration of Sn and vacancy in Ge and Si crystals
〇Koji Ozawa1, Iori Takeda1, Hibiki Bekku1, Yuji Hamamoto2, Koji Sueoka2 (1.Grad. Okayama Pref. Univ., 2.Okayama Pref. Univ.)
Keywords:
GeSn,stress,thermal equilibrium concentration
GeとSi結晶モデルにおいて置換Sn原子を導入し，様々な応力状態が形成エネルギーEfと熱平衡濃度に与える影響に関する第一原理計算を行った．一般的な薄膜成長では，薄膜成長方向は応力フリーであり，薄膜面内の格子定数は基板の格子定数にほぼ等しくなっている．そこで，Snの導入前後でのxy平面内の体積変化は小さいと考えて無視，すなわち平面応力は仕事をしないと仮定した．この場合，置換Snの形成エンタルピーはEfと等しくなる．