講演情報
[9p-P07-2]Ge，Si 中のSnと原子空孔の熱平衡濃度に与える応力の影響
〇小澤 幸司1、竹田 伊織1、別宮 響1、濱本 雄治2、末岡 浩治2 (1.岡山県立大院情報系工、2.岡山県立大情報工)
キーワード：
GeSn、応力、熱平衡濃度
GeとSi結晶モデルにおいて置換Sn原子を導入し，様々な応力状態が形成エネルギーEfと熱平衡濃度に与える影響に関する第一原理計算を行った．一般的な薄膜成長では，薄膜成長方向は応力フリーであり，薄膜面内の格子定数は基板の格子定数にほぼ等しくなっている．そこで，Snの導入前後でのxy平面内の体積変化は小さいと考えて無視，すなわち平面応力は仕事をしないと仮定した．この場合，置換Snの形成エンタルピーはEfと等しくなる．