Presentation Information
[9p-P07-3]Evaluation of crystal defects in SiGe thin films formed via annealing of Al–Ge/Si structures by polarized infrared transmission microscopy
〇(M1)Manami Iwata1, Ryoji Katsube1, Yuki Imai1, Shota Suzuki2, Hideaki Minamiyama2, Marwan Dhamrin2,3, Noritaka Usami1,4,5 (1.Nagoya Univ., 2.Toyo Aluminium K.K., 3.Osaka Univ, 4.InFuS, 5.IMaSS Nagoya Univ)
Keywords:
SiGe,epitaxial growth,near infrared
SiGe薄膜上にIII-V族半導体をエピタキシャル成長させることを考えると、表面のGe組成が80 mol% 以上である傾斜組成を有し、欠陥密度が小さいSiGe層の成長が望ましい。本研究では、欠陥近傍のひずみ場によって光学的異方性が生じることに着目し、成長したSiGe中の欠陥の非破壊かつ広視野での評価法として、近赤外透過偏光顕微鏡像の解析による光学計測手法を確立することを目的とした。