講演情報
[9p-P07-3]Al–Ge/Si構造の熱処理で形成するSiGe薄膜の近赤外透過偏光顕微鏡による結晶欠陥評価
〇(M1)岩田 茉奈実1、勝部 涼司1、今井 友貴1、鈴木 紹太2、南山 偉明2、ダムリン マルワン2,3、宇佐美 徳隆1,4,5 (1.名大院工、2.東洋アルミ、3.阪大院工、4.名大未来機構、5.名大未来研)
キーワード：
SiGe、エピタキシャル成長、近赤外
SiGe薄膜上にIII-V族半導体をエピタキシャル成長させることを考えると、表面のGe組成が80 mol% 以上である傾斜組成を有し、欠陥密度が小さいSiGe層の成長が望ましい。本研究では、欠陥近傍のひずみ場によって光学的異方性が生じることに着目し、成長したSiGe中の欠陥の非破壊かつ広視野での評価法として、近赤外透過偏光顕微鏡像の解析による光学計測手法を確立することを目的とした。