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[9p-P07-6]Application of Self-limiting Thermal Oxidation on Crystallization of Submicron Wire Structure of Si Film by Sputtering Deposition on SiO2
〇(M2)Kazuhito Uchida1, Jose A. Piedra-Lorenzana1, Daisuke Akai1, Takeshi Hizawa1, Yasuhiko Ishikawa1 (1.Toyohashi Univ. Tech.)
Keywords:
sputtered silicon film,wire structure,self-limiting oxidation
シリコンフォトニクスにおいて、光通信波長帯における光導波路などパッシブデバイス材料にSiが利用されている。一方、受光器にはエピタキシャル成長によるGe単結晶薄膜が利用されている。本研究では、SiやGeの光機能や光デバイス技術を開拓する観点で、SiO2上にスパッタ堆積した非晶質Si/Ge薄膜の結晶化を検討している。今回は、サブミクロン細線加工したSiスパッタ膜に対して、自己停止熱酸化プロセスを適用した結晶化を試みた。