Presentation Information
[9p-P13-3]Step unbunching phenomenon of 4° off-axis 4H-SiC substrate surface
〇(M2)Maho Shimizu1, Wataru Norimatsu1 (1.Waseda Univ.)
Keywords:
silicon carbide,step bunching
SiCの表面形態は、ゲート酸化膜の膜厚に関わるため、そのナノスケールでの制御が重要である。基板表面の水素エッチング処理により、表面の原子層ステップが集まるステップバンチング現象が起こることが知られている。本研究では、4°オフ4H-SiC基板において、バンチングにより高さ数nmとなったステップが、4H-SiCの格子定数cと等しい1 nmのステップへ変化するステップアンバンチング現象について報告する。