講演情報
[9p-P13-3]4°オフ 4H-SiC基板表面におけるステップアンバンチング現象
〇(M2)清水 眞秀1、乗松 航1 (1.早大理工)
キーワード：
炭化ケイ素、ステップバンチング
SiCの表面形態は、ゲート酸化膜の膜厚に関わるため、そのナノスケールでの制御が重要である。基板表面の水素エッチング処理により、表面の原子層ステップが集まるステップバンチング現象が起こることが知られている。本研究では、4°オフ4H-SiC基板において、バンチングにより高さ数nmとなったステップが、4H-SiCの格子定数cと等しい1 nmのステップへ変化するステップアンバンチング現象について報告する。