[14a-K502-1~8] 6.3 Oxide electronics

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[14a-K502-4] Thickness Dependence of Electronic Structures in VO₂ (110)_R Ultrathin Films

〇Seitaro Inoue¹, Daisuke Shiga^1,2, Sogen Watanabe¹, Ryotaro Hayasaka¹, Kenichi Ozawa², Hiroshi Kumigashira^1,2 (1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.IMSS, KEK)

Keywords:

strongly correlated electron system,photoelectron spectroscopy

VO₂の電子相転移は、強相関効果とV-V二量化の協調によって生じると考えられている。VO₂ (001)極薄膜では、2次元極限における二量化を伴わないモット絶縁体相の発現が知られているため、VO₂薄膜デバイスの設計には極薄膜領域における電子状態の面方位依存性に関する知見が不可欠である。本研究では、V-V二量化軸が面内方向に沿ったVO₂ (110)極薄膜を作製し、物性測定による電子相図作成とその場放射光光電子分光による電子状態観測を行った。