講演情報
[14a-K502-4]VO2 (110)R 極薄膜における電子状態の膜厚依存性
〇井上 晴太郎1、志賀 大亮1,2、渡邉 颯彦1、早坂 亮太朗1、小澤 健一2、組頭 広志1,2 (1.東北大多元研、2.KEK 物構研)
キーワード：
強相関電子系、光電子分光
VO2の電子相転移は、強相関効果とV-V二量化の協調によって生じると考えられている。VO2 (001)極薄膜では、2次元極限における二量化を伴わないモット絶縁体相の発現が知られているため、VO2薄膜デバイスの設計には極薄膜領域における電子状態の面方位依存性に関する知見が不可欠である。本研究では、V-V二量化軸が面内方向に沿ったVO2 (110)極薄膜を作製し、物性測定による電子相図作成とその場放射光光電子分光による電子状態観測を行った。