[14a-P02-1~6] 7 Beam Technology and Nanofabrication (Poster)

[14a-P02-4] Dopant occupation site analysis in Ag-Ba-Si alloys using high-angular resolution electron channeling X-ray spectroscopy

〇Ken Matsumura¹, Ryo Akiike², Masami Mesuda², Masahiro Ohtsuka³ (1.Tosoh Analysis and Research Center, 2.Tosoh, 3.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:

HARECXS,TEM,thermoelectric materials

熱電材料における不純物元素の添加はその熱電特性を向上させることが知られており、添加元素がどの結晶学的サイトを占有しているかを知ることはその物性発現機構を理解するために重要である。本研究では、Snを添加した熱電材料Ag-Ba-Si合金を対象として、透過電子顕微鏡（TEM）における電子チャネリング効果を利用したサイト選択的分析手法である高角度分解能電子チャネリングX線分光（HARECXS）法を用いてSnの占有サイトを明らかにした。