[14p-K205-1~10] Cutting edge nanotechnology for bio-sensor & 2D materials -Realization of a pandemic-free society with graphene FET sensors capable of rapid detection of human infectious viruses-

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)

[14p-K205-8] Analysis of Graphene Field-Effect Transistor Arrays Using Raman Microscopy

〇Shota Ushiba¹, Tomomi Nakano¹, Yuka Tokuda¹, Shinsuke Tani¹, Masahiko Kimura¹, Kazuhiko Matsumoto² (1.Murata Manufacturing Co., Ltd., 2.SANKEN, Osaka Univ.)

Keywords:

graphene,Raman spectroscopy,field-effect transistor (FET)

グラフェン合成技術の発展により, グラフェン電界効果トランジスタ（GFET）アレイの作製が可能となった。しかし, アレイ全体で電気特性はバラついており, 商業化の大きな課題となっている。本研究では, ラマン顕微鏡を用いたGFETアレイの検査技術を提案する。電気測定を行う前に, アレイ内の全てのGFETのラマンイメージを撮像した。Gバンドおよび2Dバンドのピーク位置から, GFET内のホールキャリア密度 (n_H) を算出した。n_Hは, 溶液下で測定したV_DPと相関した。さらに, GFETのラマンピークを作製プロセス毎に追跡した結果, 面内バラツキがwet転写プロセス中に発生していることが明らかとなった。