[14p-K401-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[14p-K401-10] Full color emission from InGaN based polyhedral microstructures for micro LED displays

〇Taiki Ono¹, Yoshinobu Matsuda¹, Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

Nitride semiconductors,Microstructures,Multi-wavelength light emitting diode

マイクロLEDディスプレイに向けて，InGaN単一材料系を用い，一度の結晶成長プロセスでフルカラーマイクロ LED をモノリシック集積する研究が活発化している. 最近我々は，多面体状のGaNマイクロ構造を用いれば，各面の傾斜角度の制御を通じて異なる発光色のInGaN層を構造内に集積できることを報告した[1]．しかし，この研究での集積色は，紫・青・緑色と可視短波長領域に限定されていた．本研究では，結晶成長条件の制御により，フルカラー成分を多面体マイクロ構造に集積することに成功したので，その成果を報告する．