[14p-K401-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[14p-K401-12] Fabrication and characterization of a stacked GaInN monolithic µLED array with a step-free structure

〇(B)Koko Fukushima¹, Naoki Hasegawa¹, Yuki Shimizu¹, Yoshinobu Suehiro¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:

LED,GaInN,monolithic micro LED array

積層型GaInN系モノリシックμLEDアレイは、高集積化および高輝度化が可能なことからVR/ARディスプレイへの応用が期待されている。しかし、従来の積層型モノリシックμLEDでは、アノード・カソード電極を形成する際メサに数μmの段差が生じており、駆動回路への実装時に歩留まりが低下することが課題であった。そこで本研究では、新デバイス構造である段差フリー構造を採用したデバイスの作製と評価を行った。