講演情報
[14p-K401-12]段差フリー構造を採用した積層型GaInN系モノリシックμLEDアレイの作製と評価
〇(B)福島 瑚子1、長谷川 直希1、清水 優輝1、末広 好伸1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工)
キーワード：
LED、GaInN、モノリシックμLEDアレイ
積層型GaInN系モノリシックμLEDアレイは、高集積化および高輝度化が可能なことからVR/ARディスプレイへの応用が期待されている。しかし、従来の積層型モノリシックμLEDでは、アノード・カソード電極を形成する際メサに数μmの段差が生じており、駆動回路への実装時に歩留まりが低下することが課題であった。そこで本研究では、新デバイス構造である段差フリー構造を採用したデバイスの作製と評価を行った。