[14p-K401-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[14p-K401-2] [The 57th Young Scientist Presentation Award Speech] Fabrication of a circular polarized InGaN-based LED structure using stripe-shaped metasurface

〇Yuki Murata¹, Shuhei Ichikawa^1,2, Shintaro Toda^3,1, Yasufumi Fujiwara⁴, Kazunobu Kojima¹ (1.Osaka Univ., 2.Research Center for UHVEM, Osaka Univ., 3.ULVAC Inc., 4.Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan Univ.)

Keywords:

Circularly polarized light,Metasurface,InGaN

円偏光はその特異な性質から様々な応用が提案されている一方で、高効率かつ小型に発光可能な円偏光素子は実現していない。
我々はこれまでに、一次元周期構造からなるメタサーフェスとInGaN系発光デバイスを組み合わせた円偏光素子を提案してきた。本講演では数値計算により、上記デバイスが高効率動作可能であることを示す。また、強い直線偏光が得られる半極性InGaN 量子井戸と上記メタサーフェスを組み合わせたLED構造を実際に作製し特性評価を実施したため報告する。