講演情報
[14p-K401-2][第57回講演奨励賞受賞記念講演] ストライプ型メタサーフェスを用いた円偏光InGaN LED構造の作製
〇村田 雄生1、市川 修平1,2、戸田 晋太郎3,1、藤原 康文4、小島 一信1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.アルバック協働研、4.立命館大学総合科学技術研究機構)
キーワード：
円偏光、メタサーフェス、InGaN
円偏光はその特異な性質から様々な応用が提案されている一方で、高効率かつ小型に発光可能な円偏光素子は実現していない。
我々はこれまでに、一次元周期構造からなるメタサーフェスとInGaN系発光デバイスを組み合わせた円偏光素子を提案してきた。本講演では数値計算により、上記デバイスが高効率動作可能であることを示す。また、強い直線偏光が得られる半極性InGaN 量子井戸と上記メタサーフェスを組み合わせたLED構造を実際に作製し特性評価を実施したため報告する。
我々はこれまでに、一次元周期構造からなるメタサーフェスとInGaN系発光デバイスを組み合わせた円偏光素子を提案してきた。本講演では数値計算により、上記デバイスが高効率動作可能であることを示す。また、強い直線偏光が得られる半極性InGaN 量子井戸と上記メタサーフェスを組み合わせたLED構造を実際に作製し特性評価を実施したため報告する。