[14p-K507-1~17] CS.5 Code-sharing Session of 6.5 & 7.5

1:15 PM - 1:30 PM JST(4:15 AM - 4:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[14p-K507-2] Annealing Dependence of Cathodoluminescence Near the Surface of SiC

〇(M1)SHO IGAKI¹, RIMA HORIE¹, AYAKO ISHIHARA¹, TOMOKO ONO¹, NORITAKA KOIKE¹, SAKURA TAKEDA¹ (1.NAIST)

Keywords:

cathodoluminescence,SiC,surface

4H-SiCのパワーデバイス応用では、表面近傍の欠陥制御が課題である。本研究では、アニールが4H-SiC表面近傍の欠陥分布に与える影響を、我々が開発する表面超敏感カソードルミネッセンス(CL)法を用いて調べ、緑CL強度がアニールにより表面近傍でのみ減少することを見出した。XPSの結果と合わせ、緑CL強度の減少は表面極近傍の窒素由来欠陥がアニールで減少したことに対応すると結論付けた。