講演情報
[14p-K507-2]SiCの表面近傍のカソードルミネッセンスのアニール依存性
〇(M1)井垣 翔1、堀江 里茉1、石原 綾子1、大野 智子1、小池 徳貴1、武田 さくら1 (1.奈良先端大)
キーワード：
カソードルミネッセンス、SiC、表面
4H-SiCのパワーデバイス応用では、表面近傍の欠陥制御が課題である。本研究では、アニールが4H-SiC表面近傍の欠陥分布に与える影響を、我々が開発する表面超敏感カソードルミネッセンス(CL)法を用いて調べ、緑CL強度がアニールにより表面近傍でのみ減少することを見出した。XPSの結果と合わせ、緑CL強度の減少は表面極近傍の窒素由来欠陥がアニールで減少したことに対応すると結論付けた。