[14p-K507-1~17] CS.5 Code-sharing Session of 6.5 & 7.5

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[14p-K507-5] Elucidation of thermoelectric power factor enhancement mechanism in ZnO film with controlled nanostructure interface

〇(D)Yuki Komatsubara¹, Takafumi Ishibe^1,2, Nobuyasu Naruse³, Kazunori Sato⁴, Eiichi Kobayashi⁵, Yoshiaki Nakamura^1,2 (1.Grad. School of Eng. Sci., Osaka Univ., 2.OTRI Osaka Univ., 3.Shiga Univ. of Medical Sci., 4.Grad. School of Eng., Osaka Univ., 5.Kyushu Synchrotron Light Research Center)

Keywords:

Thermoelectric conversion,Oxide,Nanostrucutre

廃熱から電気へ直接変換可能な熱電変換において、熱電材料の低熱伝導率化と高出力因子化が必要である。前者はナノ構造導入が有効だが、未制御なナノ構造界面は、電子状態を変化させうる欠陥の制御性が低い。そのため、出力因子増大機構の理解が難しい。本研究では緻密な制御が可能な薄膜形成技術に基づき、ナノ構造含有薄膜を形成したところ、ナノ構造界面近傍領域で高密度の転位が発生し、これが出力因子増大の要因だと分かった。