[14p-P04-1~2] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[14p-P04-1] Improved electronic properties of double doped InSb/GaInSb composite channel HEMT structures
-Reduction of treading dislocation density by controlling composition ratio of graded buffer-

〇Ayumu Koyama¹, Tomoki Jinnai¹, Tatsuhisa Oba¹, Wataru Nakajima¹, Akira Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹ (1.Tokyo Univ. of Science)

Keywords:

high electron mobility transistor,epitaxial growth,GaInSb

GaSb初期核形成層およびAl_1-xIn_xSb傾斜バッファ層の導入により格子不整合に起因する貫通転位の発生・伝搬を抑制することで，ダブルドープInSb/GaInSb複合チャネル構造の電気的特性の向上を図った．本研究では，更なる電気的特性の向上を目指し，傾斜バッファ層の組成比変化率の違いが貫通転位密度に及ぼす影響を検討した．