講演情報
[14p-P04-1]ダブルドープInSb/InGaSb複合チャネルHEMT構造の電気的特性の向上
―傾斜バッファ層の組成比制御による貫通転位密度の低減―
〇小山 歩夢1、神内 智揮1、大場 達久1、中島 渉1、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大先進工)
キーワード：
高電子移動度トランジスタ、エピタキシャル成長、GaInSb
GaSb初期核形成層およびAl1-xInxSb傾斜バッファ層の導入により格子不整合に起因する貫通転位の発生・伝搬を抑制することで，ダブルドープInSb/GaInSb複合チャネル構造の電気的特性の向上を図った．本研究では，更なる電気的特性の向上を目指し，傾斜バッファ層の組成比変化率の違いが貫通転位密度に及ぼす影響を検討した．